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[導讀]芯科技(文/西卡),三星電子為達成「全球第一代工企業」的目標,在三星代工論壇2019(Samsung Foundry Forum 2019)上,發表新一代3納米閘極全環(Gate-all-around)制程。

 

據韓媒《ZDNet Korea》報導,3納米閘極全環制程是讓電流經過的圓柱形通道環繞在閘口,和鰭式場效晶體管(FinFET)的構造相比,該技術能更加精密地控制電流。

若將3納米制程和最新量產的7納米FinFET相比,芯片面積能減少45%左右,同時減少耗電量50%,并將性能提高35%。

當天活動中,三星電子將3納米工程設計套件發送給半導體設計企業,并共享人工智能(AI)、5G移動通信、無人駕駛、物聯網(IoT)等第四次產業革命的核心半導體技術。工程設計套件在代工公司的制造制程中,支持優化設計的數據文件。半導體設計公司能通過此文件,更輕易地設計產品,縮短上市所需時間、提高競爭力。

同時,三星電子計劃在3納米制程中,通過獨家的多橋接通道場效應晶體管(MBCFETTM)技術,爭取半導體設計公司的青睞。多橋接通道場效應晶體管技術是進一步發展的「細長的鋼絲型態」的閘極全環構造,以輕薄、細長的納米薄片進行堆棧。該技術能夠提升性能、降低耗電量,而且和FinFET工藝兼容性強,有直接利用現有設備、技術的優點。

另一方面,三星電子計劃在下個月5日于上海進行代工論壇,并于7月3日、9月4日、10月10日分別在韓國首爾、日本東京、德國慕尼黑舉行代工論壇。

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